111@электро-изоляция.рф +7 (495) 921-35-81

Каталог ГОСТ

Актуальность базы: 21.04.2018, объем: 42,373 документа(ов)

Для отображения списка документов выберите категорию из классификатора каталога ГОСТов.
Чтобы отобразить подкатегории классификатора ГОСТ, кликните по иконке со знаком плюс
и дождитесь подгрузки подкатегорий в нижней части экрана.
Если наименование ГОСТа заранее известно, можете воспользоваться формой поиска ниже.
Полный перечень ГОСТ в базе (алфавитный порядок)

Номер Название Дата введения Статус
1 ГОСТ 15133-77 Приборы полупроводниковые. Термины и определения 30.06.1978 утратил силу в РФ
 
Англ. название: Semiconductor devices. Terms and definitions
Область применения: Настоящий стандарт устанавливает термины и определения понятий полупроводниковых приборов.
Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу деятельности по стандартизации или использующих результаты этой деятельности
Нормативные ссылки: ГОСТ 15133-69
2 ГОСТ 15606-70 Диоды туннельные типов АИ301А, АИ301Б, АИ301В, АИ301 Г для устройств широкого применения отменён
 
Англ. название: Tunnel diodes. Types aИ301a, aИ301, aИ301b, aИ301Г for widely used devices
3 ГОСТ 17466-80 Транзисторы биполярные и полевые. Основные параметры 01.01.1982 действующий
 
Англ. название: Transistors bipolar and field-effect. Basic parameters
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные и полевые транзисторы и устанавливает допускаемые сочетания значений основных параметров
Нормативные ссылки: ГОСТ 17466-72
4 ГОСТ 18472-88 Приборы полупроводниковые. Основные размеры 30.06.1989 утратил силу в РФ
 
Англ. название: Semiconductor devices. Basic dimensions
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые приборы в корпусах и устанавливает их габаритные и присоединительные размеры.
Стандарт не распространяется на селеновые приборы, термисторы, варисторы, выпрямительные столбы и блоки, диодные и транзисторные наборы, оптоэлектронные приборы
Нормативные ссылки: ГОСТ 18472-82
5 ГОСТ 18577-80 Устойства термоэлектрические полупроводниковые. Термины и определения 30.06.1981 действующий
 
Англ. название: Thermoelectric semiconductor devices. Terms and definitions
Область применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения основных понятий полупроводниковых термоэлектрических устройств.
Термины, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе
Нормативные ссылки: ГОСТ 18577-73
6 ГОСТ 18604.0-83 Транзисторы биполярные. Общие требования при измерении электрических параметров 30.06.1984 действующий
 
Англ. название: Bipolar transistors. General requirements for measuring of electrical parameters
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биролярные транзисторы и устанавливает общие требования к условиям измерений, аппаратуре и показателям точности измерений
Нормативные ссылки: ГОСТ 18604.0-74
7 ГОСТ 18604.1-80 Транзисторы биполярные. Метод измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте 01.01.1982 действующий
 
Англ. название: Transistors bipolar. Method for measuring collector-tobase time constant at high frequencies
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биролярные транзисторы и устанавливает измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте
Нормативные ссылки: ГОСТ 18604.1-73
8 ГОСТ 18604.2-80 Транзисторы биполярные. Методы измерения статического коэффициента передачи тока 01.01.1982 действующий
 
Англ. название: Transistors bipolar. Methods for measuring of static coefficient of current transmission
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения статического коэффициента передачи тока на импульсном и постоянном токах
Нормативные ссылки: ГОСТ 18604.2-73
9 ГОСТ 18604.3-80 Транзисторы. Методы измерения емкостей коллекторного и эмиттерного переходов 01.01.1982 действующий
 
Англ. название: Transistors bipolar. Methods for measuring collector and emitter capacitances
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает два метода измерения емкостей коллекторного и эмиттерного переходов:
с использованием резистивно-емкостного делителя;
с использованием моста.
Метод с использованием резистивно-емкостного делителя применяют в производственных измерениях, требующих высокой производительности.
Метод с использованием моста применяют в лабораторных и производственных измерениях, требующих высокой точности
Нормативные ссылки: ГОСТ 18604.3-73
10 ГОСТ 18604.4-74 Транзисторы. Метод измерения обратного тока коллектора 30.09.1976 действующий
 
Англ. название: Transistors. Method for measuring collector reverse current
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения обратного тока коллектора (ток через переход коллектор-база при заданном обратном напряжении на коллекторе и при разомкнутой цепи эмиттера) свыше 0,01 мкА
Нормативные ссылки: ГОСТ 10864-68
11 ГОСТ 18604.5-74 Транзисторы. Метод измерения обратного тока коллектора-эмиттера 01.01.1976 действующий
 
Англ. название: Transistors. Method for measuring collector-emitter reverse current
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения обратного тока коллектора-эмиттера (тока в цепи коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и короткозамкнутых выводах эмиттера и базы; при заданном активном сопротивлении, включенном между базой и эмиттером; при заданном обратном напряжении эмиттер-база) свыше 0,01 мкА
Нормативные ссылки: ГОСТ 10865-68 ГОСТ 10866-68
12 ГОСТ 18604.6-74 Транзисторы. Метод измерения обратного тока эмиттера 01.01.1976 действующий
 
Англ. название: Transistors. Method for measuring emitter reverse current
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения обратного тока эмиттера (ток через переход эмиттер-база при заданном обратном напряжении на эмиттере и при разомкнутой цепи коллектора) свыше 0,01 мкА
Нормативные ссылки: ГОСТ 10867-68
13 ГОСТ 18604.7-74 Транзисторы. Метод измерения коэффициента передачи тока 01.01.1976 действующий
 
Англ. название: Transistors. Method for measuring current transfer coefficient
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы малой мощности и устанавливает метод измерения коэффициента передачи тока (отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания выходной цепи по переменному току)
Нормативные ссылки: ГОСТ 10870-68
14 ГОСТ 18604.8-74 Транзисторы. Метод измерения выходной проводимости 01.01.1976 действующий
 
Англ. название: Transistors. Method for measuring output conductivity
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные низкочастотные транзисторы малой и средней мощности и устанавливает метод измерения выходной проводимости (отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению выходного напряжения в режиме холостого хода входной цепи по переменному току в схеме с общей базой)
Нормативные ссылки: ГОСТ 10871-68
15 ГОСТ 18604.9-82 Транзисторы биполярные. Методы определения граничной и предельной частот коэффициента передачи тока 01.01.1984 действующий
 
Англ. название: Transistors bipolar. Methods for determining cut-off frequency and transition frequency
Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы определения предельной и граничной частот коэффициента передачи тока
Нормативные ссылки: ГОСТ 18604.9-75 ГОСТ 18604.12-77 ГОСТ 18604.25-81

 

Источник информации: http://электро-изоляция.рф/gosts/35469//