Вернуться в "Каталог ГОСТ"
ГОСТ 24352-80
Излучатели полупроводниковые. Основные параметры
| Обозначение: | ГОСТ 24352-80 |
|---|---|
| Статус: | действующий |
| Тип: | ГОСТ |
| Название русское: | Излучатели полупроводниковые. Основные параметры |
| Название английское: | Semiconductor photoemitters. Main parameters |
| Дата актуализации текста: | 06.04.2015 |
| Дата актуализации описания: | 21.04.2018 |
| Дата издания: | 01.04.1988 |
| Дата введения в действие: | 01.01.1982 |
| Дата последнего изменения: | 11.01.2018 |
| Переиздание: | переиздание с изм. 1 |
| Область и условия применения: | Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые полупроводниковые оптоэлектронные излучатели: инфракрасные излучающие диоды и светоизлучающие диоды и устанавливает ряды и допускаемые сочетания значений основных параметров |
| Взамен в части: | ГОСТ 17465-72 в части пп. 13, 14, 15 |
| Список изменений: | №1 от (рег. ) «Срок действия продлен» |
| Расположен в: | Общероссийский классификатор стандартов → Электроника → Полупроводниковые приборы → Полупроводниковые приборы прочие |
| Приложение №0: | Изменение №1 к ГОСТ 24352-80 |
Вернуться в "Каталог ГОСТ"
|
|
|