№ |
Номер |
Название |
Дата введения |
Статус |
1 |
ГОСТ 4.64-80 |
Система показателей качества продукции. Полупроводниковые материалы. Номенклатура показателей |
30.06.1981 |
действующий |
| Англ. название: Production quality system. Semiconductor materials. Indices nomenсlature Область применения: Настоящий стандарт устанавливает номенклатуру основных показателей качества объемных монокристаллов полупроводниковых материалов, включаемых в ТЗ на НИР по определению перспектив развития этой группы продукции, государственные стандарты с перспективными требованиями, а также номенклатуру показателей качества, включаемых в разрабатываемые и перспективные стандарты на продукцию, ТЗ на ОКР, технические условия, карты технического уровня и качества продукции |
2 |
ГОСТ 2169-69 |
Кремний технический. Технические условия |
30.06.1970 |
действующий |
| Англ. название: Silicon technical. Specifications Область применения: Настоящий стандарт распространяется на кремний, получаемый путем восстановительной плавки кварцита в дуговых электропечах, предназначенный для изготовления кремнийсодержащих сплавов, кремнийорганической продукции, полупроводникового кремния, а также для спеццелей Нормативные ссылки: ГОСТ 2169-43 |
3 |
ГОСТ 19014.0-73 |
Кремний кристаллический. Общие требования к методам химического анализа |
01.01.1975 |
действующий |
| Англ. название: Crystal silicon. General requirements for methods of chemical analysis Область применения: Настоящий стандарт устанавливает общие требования к методам химического анализа кристаллического кремния Нормативные ссылки: ГОСТ 2178-54 в части разд. I, II |
4 |
ГОСТ 19014.1-73 |
Кремний кристаллический. Методы определения алюминия |
01.01.1975 |
действующий |
| Англ. название: Crystal silicon. Methods of aluminium determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает титриметрический и атомно-абсорбционный методы определения алюминия (при массовой доле алюминия от 0,30 до 1,60 %) в кристаллическом кремнии Нормативные ссылки: ГОСТ 2178-54 в части разд. III |
5 |
ГОСТ 19014.2-73 |
Кремний кристаллический. Методы определения железа |
01.01.1975 |
действующий |
| Англ. название: Crystal silicon. Methods of iron determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает фотометрический и атомно-абсорбционный методы определения железа (при массовой доле железа от 0,3 до 1,6 %) в кристаллическом кремнии Нормативные ссылки: ГОСТ 2178-54 в части разд. IV |
6 |
ГОСТ 19014.3-73 |
Кремний кристаллический. Методы определения кальция |
01.01.1975 |
действующий |
| Англ. название: Crystal silicon. Methods of calcium determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает титриметрический и атомно-абсорбционный методы определения кальция (при массовой доле кальция от 0,30 до 1,60 %) в кристаллическом кремнии Нормативные ссылки: ГОСТ 2178-54 в части разд. V |
7 |
ГОСТ 19014.4-73 |
Кремний кристаллический. Методы определения титана |
01.01.1975 |
действующий |
| Англ. название: Crystal silicon. Methods of titanium determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает фотометрический и атомно-абсорбционный методы определения титана (при массовой доле титана от 0,10 до 0,40 %) в кристаллическом кремнии Нормативные ссылки: ГОСТ 2178-54 в части разд. VI |
8 |
ГОСТ 19658-81 |
Кремний монокристаллический в слитках. Технические условия |
01.01.1983 |
действующий |
| Англ. название: Monocrystalline silicon in ingots. Specifications Область применения: Настоящий стандарт распространяется на слитки монокристаллического кремния, получаемые методом Чохральского и предназначенные для изготовления пластин-подложек, используемых в производстве эпитаксиальных структур и структур металл-диэлектрик-полупроводник Нормативные ссылки: ГОСТ 19658-74 |
9 |
ГОСТ 22265-76 |
Материалы проводниковые. Термины и определения |
01.01.1978 |
действующий |
| Англ. название: Conductor materials. Terms and definitions Область применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения основных понятий в области проводниковых материалов. Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, учебниках, учебных пособиях, технической и справочной литературе Нормативные ссылки: ГОСТ 17033-71 в части терминологии проводниковых материалов |
10 |
ГОСТ 22622-77 |
Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров |
30.06.1978 |
действующий |
| Англ. название: Semiconductor materials. Terms and definitions Область применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения основных понятий полупроводниковых материалов |
11 |
ГОСТ 26239.0-84 |
Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Общие требования к методам анализа |
01.01.1986 |
действующий |
| Англ. название: Semiconductor silicon, raw materials for its production and quartz. General requirements for methods of analysis Область применения: Настоящий стандарт устанавливает общие требования к методам анализа полупроводникового кремния, исходных продуктов для его получения ( технический кремний, четыреххлористый кремний, хлорсиланы, двуокись кремния) и кварца |
12 |
ГОСТ 26239.1-84 |
Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Метод определения примесей |
01.01.1986 |
действующий |
| Англ. название: Semiconductor silicon, raw materials for its production and quartz. Method of impurities determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает химико-атомно-эмиссионный метод определения примесей в интервалах значений массовых долей в полупроводниковом кремнии, двуокиси кремния, кварце, четуреххлористом кремнии и трихлорсилане |
13 |
ГОСТ 26239.2-84 |
Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Методы определения бора |
01.01.1986 |
действующий |
| Англ. название: Semiconductor selicon, raw materials for its production and quartz. Methods of boron determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает химико-атомно-эмиссионный метод определения бора в полупроводниковом кремнии, в двуокиси кремния и кварце, в четыреххлористом кремнии и трихлорсилане и атомно-эмиссионный метод определения бора в техническом кремнии |
14 |
ГОСТ 26239.3-84 |
Кремний полупроводниковый, исходные продукты для его получения и кварц. Методы определения фосфора |
01.01.1986 |
действующий |
| Англ. название: Semiconductor selicon, raw materials for its production and quartz. Methods of phosphorus determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает экстракционно-фотометрический метод определения фосфора в техническом кремнии, экстракционно-колориметрический метод определения фосфора в трихлорсилане и тетрахлориде кремния и двуокиси кремния (синтетическом кварце); нейтронно-активационный метод определения фосфора в полупроводниковом кремнии |
15 |
ГОСТ 26239.5-84 |
Кремний полупроводниковый и кварц. Метод определения примесей |
01.01.1986 |
действующий |
| Англ. название: Semiconductor silicon and quartz. Method of impurities determination Область применения: Настоящий стандарт устанавливает нейтронно-активационный метод определения примесей в нелегированном полупроводниковом кремнии и кварце.
Метод не распространяется для анализа кремния марок КЭС-0,01 и КЭМ-0,01 |